CVD（Chemical Vapor Deposition）和MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）是兩種常用的化學氣相沉積技術，用于制備薄膜、涂層和納米材料等。

CVD是一種通過在反應室內將反應物質以氣體形式傳輸并在襯底表面發生化學反應，從而在襯底上形成所需材料的方法。該過程涉及到化學反應、氣體輸運和表面擴散等多個步驟。在CVD過程中，通過控制反應氣體的組成、流速、溫度和壓力等參數，可以實現對所生長材料的成分、結構和性能的精確控制。

而MOCVD是一種特殊的CVD技術，主要用于生長復雜化合物薄膜，如半導體材料、光電材料等。MOCVD利用金屬有機前驅物（通常是金屬有機化合物）和載氣（如氫氣、氮氣）在高溫條件下反應，使金屬有機前驅物分解并釋放金屬原子，然后這些金屬原子與載氣中的其他氣體反應，最終在襯底表面形成所需薄膜。

CVD，MOCVD專用氫氣發生器由超純水機制取二級水，并儲存至水箱備用。氫氣發生器缺水時，自動供給至氫氣發生器。多臺氫氣發生器可串聯使用，通過串聯控制線由一臺發生器控制其他發生器，實現產氣均勻分配。（以兩臺設備為例控制圖如下）

CVD，MOCVD專用氫氣發生器主要特點：

1、儀器的全部工作過程均由程序控制，自動恒壓、恒流，通過串聯控制線，可實現多組并聯使用。 

2、使用固態電解質（PEM）法產生氫氣，以超純凈水原料，以固體聚合物為電解質，貴金屬做電極有效的除濕裝置，降低了原始濕度，純度穩定。 

3、操作方便使用時只需打開電源開關即可產氫，使用后無需泄壓，直接關閉電源即可。可連續使用，也可間斷使用，產氫量穩定不衰減。 

4、安全可靠：配有安全裝置，電解超純水制氫，無腐蝕、無污染，配有壓力控制，缺水自動監控，漏氣自動檢測。 

5、配備純水系統，完成自來水進水完成大流量的氫氣制備。

CVD，MOCVD專用氫氣發生器主要參數：